在每次人的神经系统里面，也有那段不能不磨灭的记住，或喜爱快乐时光，或悲哀哀愁。记住是人的大脑对感受过事物本质的记背、始终保持、回归或再认，它是完成逻辑思维、现象等最高级心理过程过程的前提。那，记住数据存储于在什么地方？
在丘脑中，有块类运动神经生殖上皮细胞系系在咱们成型背诵时被提高，她们被号称背诵的痕迹生殖上皮细胞系系（Engram cells）。大规模钻研已证明，痕迹生殖上皮细胞系系会存在于海马、内嗅皮层等多家脑区中，当咱们存贮、分离出背诵时，这样生殖上皮细胞系系会被提高。
观于印象印刷痕迹的组成，Hebb有那么种假说，“Neurons that Fire Together, Wire Together…”，即3个运动神经元同吃蓄电池充电的之后，它们当中的突触连接方式会一步一步构建或开展。虽然，去的技術方式时未的帮助咱们公司探寻印象有关于的突触的位置，因为咱们公司未能实验陪伴印象的组成，引发影响的突触可否是印象有关于的突触。
为实现上述构想，我们需要标记特定两个细胞之间的突触。过去的研究曾使用绿色荧光蛋白突触重构（Green Fluorescent Protein Reconstitution Across Synaptic Partners， GRASP）技术[1]。这项技术将绿色荧光蛋白的两个片段分别表达在突触前或突触后的膜表面，因此绿色荧光蛋白只表达在突触位置。那么，GRASP能否用于上述记忆存储的突触机制研究呢？
GRASP技術
2015年4月27日，《Science》自媒体刊载了日韩韩国首尔国立大学时Bong-Kiun Kaang副教授的最近核心上班[2]，它们的开发了突破版双GRASP枝术（dual-eGRASP）。它们顺利通过用到随身携带不同于荧光淀粉酶的AAV新冠病毒标识印记神经元和非印记神经元，感觉记忆变成后，海马CA3印记神经元到CA1印记神经元的突触对接特殊增进。
本篇工作首次区分标记突触前的印迹细胞与非印迹细胞，表明难忘记忆的形成并非因为招募了更多的印迹细胞，而是由印迹细胞之间的突触连接的强化所致。
Bong-Kiun Kaang传授
Result:
1、Dual-eGRASP技术水平判别一种脑神经元外面各种起源的突触
前提，为变现dual-eGRASP标志，作家在突触前把你想呈现出来方法黑色pre-eGRASP或黄绿色pre-eGRASP，为此的一种也不会放出荧光，但要为此的与把你想呈现出来方法post-eGRASP的运动中枢运动神经元行成突触，则会把你想呈现出来方法出黑色或黄绿色荧光（图1A），因而可能要做到标志同一条个运动中枢运动神经元上去源其他的突触。为核实这一技巧，作家在HEK293T细胞系（图1B-C）和內嗅皮层-海马DG区的通道（图1D-E）中测试软件，均好核实本项技巧的效果。有意思的的是，对CA1所说，同侧CA3与对侧CA3运动中枢运动神经元映射到相同之处之处范围，为此黑色、黄绿色荧光蛋白酶把你想呈现出来方法在相同之处之处位子（图1D-E）。
图1 Dual-eGRASP技艺分同个周围神经元各种不同由来的突触
2、遗忘转变成后CA3与CA1痕印受损细胞内的投影屈服强度更好
组合Fos-TRE模式[3]，写作者选择作出dual-eGRASP技艺探讨记忆里存放的突触地理位置。自己在对侧CA3填充AAV-c-Fos-rtTA3G和AAV-TRE3G-黄颜色pre-eGRASP，因只要 被启用的运动精神元能开机c-Fospcb板，因为只要 CA3痕印生殖細胞核核（E）可描述黄颜色pre-eGRASP；自己在同侧CA3中填充极一少部分AAV-Cre和多AAV-DIO-黑色pre-eGRASP，以重复数标记图片符号图片CA3运动精神元，轴突末段描述黑色不描述黄颜色荧光的即非痕印生殖細胞核核（N）。又用Fos-TRE模式与红白色荧光蛋清质标记图片符号图片同侧CA1痕印生殖細胞核核（E），用极一少部分AAV-Cre和多AAV-DIO-紫荧光蛋清质重复数标记图片符号图片CA1运动精神元，CA1紫非红白色运动精神元即非痕印生殖細胞核核（N）（图2A-B）。
经由观测，自己惊喜英文地发现，小鼠在3d场景必要条件焦虑实验报告时候，其CA3到CA1的E-E突触黏度相关系数曾加，树突棘的数量曾加，量更强。而N-N、E-N、N-E左右的突触无凸显变化规律（图2C-E）。
图2 记忆训练型成后CA3痕迹组织投屏到CA1痕迹组织的挠度更高的
3、印记人体细胞之中的突触连到屈服抗压强度与记忆屈服抗压强度呈正有关的
过去的研究表明，在不同的记忆强度之下，印迹细胞的数量维持不变。作者推测印迹细胞之间的突触连接强度可以编码记忆强度。为验证此推测，他们使用图2A相同的方法，标记CA1、CA3的印迹细胞（E）与非印迹细胞（N）。场景条件恐惧实验中，他们将小鼠分为3组，接受高强度足底电极、低强度足底电极或不接受足底电极，以代表3种记忆强度（图3A-B）。发现随着足底电极强度的提高，小鼠颤栗行为增加。此外，高强度足底电极条件下，E-E突触强度显著高于其他条件，而N-N、E-N、N-E之间的突触强度不受足底电极影响（图3C-F）。
图3 印子组织互相的突触相连接力度与記憶力度呈正相应的
4、记忆力出现后CA3与CA1印记癌细胞相互的突触传播的效率更多
在图2的毕竟中，做者从社会形态学地方说一目了然记忆力形成了后CA3与CA1印刷痕迹细胞膜中间的映射密度越高，反驳来，做者选用膜片钳电生理特点技术进这一步校验此分析方法。
其利用Fos-rtTA装置互相做好AAV-TRE3G-ChrimsonRhiv细菌标志CA3痕迹组织上皮组织血感觉周围神经元（E），用AAV-CaMKIIα-Chronos标志CA3完全激动性感觉周围神经末梢元（T）。又用Fos-rtTA互相做好AAV-TRE3G-mEmeraldhiv细菌标志CA1痕迹组织上皮组织血感觉周围神经元，并在动画场景生活条件恐惧感活动科学试验往后，全组织上皮组织血感觉周围神经元记载小鼠CA1痕迹组织上皮组织血感觉周围神经元（E）布尔代数痕迹组织上皮组织血感觉周围神经元（N）。理解ChrimsonR的感觉周围神经末梢元可被黄光启用，理解Chronos的感觉周围神经末梢元可被蓝光启用（图4A-B）。
小说作家遇到，画面前提恐惧心理行为表现实验报告后，小鼠CA3印记细胞膜系到CA1投影的PPR（Paired-pulse ratio，定量分析突触前囊泡移除的情況）有效消减，E-E投影PPR有效消减地最为显著，说明突触前移除作用的不断强化（图4C-E）。接着随后，许多人操作Sr2 倡导单囊泡移除造成3d模型，评估紧张性突触后直流电（EPSC），遇到CA1印记细胞膜系进行的EPSC大幅度是最高的，说明突触后表达方式更好的AMPA肾上腺素受体（图4F-G）。总体给出2个报告，记意的组成会该变E-E之間的可延展性，即长时程不断强化（LTP）。
最后，作者在T-N、E-N、T-E、E-E之间诱导LTP，发现只有E-E之间的投射强度无变化，提示之前记忆的形成已经诱发E-E之间的LTP，因此投射强度无法进一步提高（图4H-I）。
图4 记录构成后CA3与CA1痕迹细胞系中间的突触表达的效率更多
总结：
印象是脑的至关重要二级自我意识职能，可是针对印象数据存储于哪一些体受损癌组织、哪一些突触.我认识的少，而该难题的化解是脑神经物理学的核心理念难题之首。文中第一次灵活运用dual-eGRASP新方法，标签并检则痕迹体受损癌组织和非痕迹体受损癌组织突触的不同，表明印象养成后痕迹体受损癌组织与痕迹体受损癌组织期间的突触拼接有效增加。文中无穷的不断提高了.我在学印象领域行业的自我意识，任何方法可能深层次搜寻脑物理学，带.我查回头部难以忘怀处的印象！
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参考文献：
1.Cabantous, S., T.C. Terwilliger, and G.S. Waldo, Protein tagging and detection with engineered self-assembling fragments of green fluorescent protein. Nat Biotechnol, 2005. 23(1): p. 102-7.
2.Choi, J.-H., et al., Interregional synaptic maps among engram cells underlie memory formation. Science, 2018. 360(6387): p. 430-435.
3.Liu, X., et al., Optogenetic stimulation of a hippocampal engram activates fear memory recall. Nature, 2012. 484(7394): p. 381-5.
